ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS,INC;DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人:
QIAN, BAINIAN,JACOB, GEORGE C.,WANK, ANDREW,SHIDNER, DAVID,REDDY, KANCHARLA-ARUN K,ALDEN, DONNA MARIE,DEGROOT, MARTY W
申请号：
FR20180000399
公开号：
FR3065734(A1)
申请日:
2018.05.02
申请国别(地区):
法国
年份:
2018
代理人:
摘要：
La présente invention fournit des procédés de fabrication d'une couche de polissage mécano-chimique (polissage CMP) pour polir des substrats, tels que des galettes semi-conductrices comprenant la fourniture d'une composition de plusieurs micro-éléments chargés de liquide ayant une enveloppe polymère ; le tri de la composition via un tri centrifuge à l'air pour éliminer des fines et des particules grossières et pour produire des micro-éléments remplis de liquide ayant une densité de 800 à 1 500 g/litre ; et, la formation de la couche de polissage CMP par (i) conversion des micro-éléments chargés de liquide triés en micro-éléments remplis de gaz en les chauffant, mélange subséquent de ceux-ci avec un matériau formant une matrice polymère liquide et coulée ou moulage du mélange résultant pour former une matrice de tampon polymère, ou (ii) combinaison des micro-éléments remplis de liquide triés directement avec le matériau formant une matrice polymère liquide, et coulée ou moula
