基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法和装置
- 专利权人:
- 中国空间技术研究院
- 发明人:
- 徐上九,王建国,王彤,祝名,张磊,张伟
- 申请号：
- CN201810839613.2
- 公开号：
- CN109063318A
- 申请日:
- 2018.07.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 陈鹏
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法和装置，其中，该方法包括：获取SiP器件的设计参数和工艺参数，根据设计参数和工艺参数，确定SiP器件的三维模型；获取SiP器件需要仿真的电源参数，根据电源参数和三维模型，利用仿真软件对SiP器件进行直流压降分析仿真和Z参数仿真，并确定仿真结果；进而根据上述电源参数和仿真结果，对SiP器件的电源完整性进行评价。其中，上述SiP器件为航天器用SiP器件。本发明解决了相关技术中航天器用SiP器件只能通过管脚测试进行电源完整性评价，进而导致条件受限的技术问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
