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一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法
- 专利权人:
- 西安交大京盛科技发展有限公司
- 发明人:
- 田边
- 申请号：
- CN201210402948.0
- 公开号：
- CN103776869A
- 申请日:
- 2012.10.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 刘国智
- 摘要：
- 一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法，在单晶硅衬底上沉积一层氧化硅绝缘层，再在绝缘层上涂一层光刻胶；将梳状交叉电极模板与所述光刻胶通过接触式曝光使对应的光刻胶剥落；在氧化硅绝缘层表面溅射一层铬膜，在铬膜上再溅射一层金膜，之后将整个衬底置入到酒精中使未曝光的光刻胶剥落，形成铬-金梳状交叉电极；将活性碳和氧化锡粉末放入小石英管中,然后在离混合粉末1cm处放置上述带铬-金梳状交叉电极的衬底，接着将此小石英管置于大石英管中放入真空炉中抽真空，然后通入氮气，升温，冷却，附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上的灰白色棉絮状物质即为氧化锡纳米线，其附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上形成氧化锡纳米线气体传感器。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
