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具有氢键阵列的磁性分子印迹聚合物的制备方法
专利权人:
华南师范大学
发明人:
梁勇
申请号:
CN201610064335.9
公开号:
CN105693959B
申请日:
2016.01.29
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
林玉芳`华辉
摘要:
本发明公开了一种具有氢键阵列的磁性分子印迹聚合物的制备方法,包括如下步骤:合成Fe3O4磁性纳米颗粒;溶胶凝胶法制备包覆二氧化硅的磁性纳米微球;制备MPS修饰的磁性纳米微球;模板分子与功能单体自组装后,加入MPS修饰的磁性纳米微球、交联剂、引发剂和分散介质,均匀搅拌聚合反应;反应结束后,磁分离产物,除去模板分子后干燥,制得磁性微球表面分子印迹聚合物;所述模板分子为乙胺嘧啶,所述功能单体为异戊巴比妥。本发明利用异戊巴比妥和乙胺嘧啶之间的多重氢键作用,形成分子间作用矩阵,增加二者的结合位点,提高磁性分子印迹聚合物对乙胺嘧啶的亲和力和选择吸附性。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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