TRANSISTOR INCLUDING SELECTION OF AT LEAST ONE FROM AT LEAST ONE BENDING DEFORMATION OF GRAPHENE OR POSITION SHIFT TO CONTROL AT LEAST ONE WORK FUNCTION
본 발명은 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 관한 것으로, 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으
