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一种采用金属辅助湿法刻蚀制备硅基微针的制备方法及其应用
专利权人:
中国科学技术大学
发明人:
马圆圆,魏钰,陈琳,周成刚
申请号:
CN202011238936.X
公开号:
CN112221010A
申请日:
2020.11.09
申请国别(地区):
CN
年份:
2021
代理人:
摘要:
本发明提供一种采用金属辅助湿法刻蚀制备硅基微针的制备方法,包括:将预处理硅片表面涂光刻胶进行图形化处理,得到样片;将所述样片在硝酸银‑氢氟酸‑超纯水混合溶液中沉积,得到沉积硅片;将所述沉积硅片在氢氟酸‑过氧化氢混合溶液中刻蚀,清洗后浸泡在食人鱼溶液中,再去除硅纳米线,得到硅基微针。本发明提供的方法只需要用光刻胶做简单地图形化处理,然后利用金属辅助湿法刻蚀在酸性条件下刻蚀出大尺寸微针,微针高度可控,微针位置可控,刻蚀时间短,工艺过程简单,效果显著。硅基微针高度为90~137微米;制备的传感器对过氧化氢有良好的线性响应,响应电流较大,可不少于4小时的检测过氧化氢的浓度变化。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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