金属−セラミックス回路基板およびその製造方法
- 专利权人:
- ＤＯＷＡメタルテック株式会社
- 发明人:
- 島津 昌弘
- 申请号：
- JP20160149102
- 公开号：
- JP2018018992(A)
- 申请日:
- 2016.07.29
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】従来よりも厳しい条件のヒートサイクルが繰り返し加えられても半田クラックの発生やチップの破損を防止することができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板１０の一方の面に金属回路板１２の一方の面が直接接合するとともに、他方の面に金属ベース板１４が直接接合し、金属回路板１２の他方の面に厚さ１７μｍ以上（好ましくは１７〜１００μｍ、さらに好ましくは２０〜６０μｍ）のニッケルめっき皮膜１８が形成され、このニッケルめっき皮膜１８上に、半田層２２介してチップ部品２４が半田付けされている。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
