一种改进的AlGaN/GaN HEMT全局直流模型

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作   者：

常永明;  毛维;  郝跃; 

作者机构：

西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国家重点学科实验室; 

关键词：

遗传算法;  AlGaN/GaN HEMT;  全局直流模型; 

期刊名称：

微电子学

基金项目：

可双向阻断高性能增强型GaN基栅-漏复合场板功率器件研究

i s s n：

1004-3365

年卷期：

2017 年 03 期

页   码：

416-419

摘   要：

对Angelov直流FET模型进行改进,并应用同一遗传算法对改进前后的模型进行全局直流模型参数提取,平均相对误差分别为4.58%和1.8%。将模型计算值与实验数据进行对比,结果表明,改进后的模型能更加准确地描述AlGaN/GaN HEMT源漏电流随栅、漏电压变化的全局直流输出特性,从而为AlGaN/GaN HEMT提供一种准确的全局直流模型和精确的参数提取方法。