可双向阻断高性能增强型GaN基栅-漏复合场板功率器件研究

基金项目类型：

国家自然科学基金

基金项目编号：

61574112

来源网站：

国家自然科学基金委员会

来源网址：

http://www.nsfc.gov.cn/

负责人：

毛维

完成单位：

西安电子科技大学

中文关键词：

增强型氮化镓基功率器件; 栅-漏复合场板; 极化中和技术; 肖特基-网状欧姆漏极; 器件机理和实现方法;

项目类型：

面上项目

语种：

中文

开始日期：

2016-01-01

结束日期：

2019-12-31

中文摘要：

当前，研发高性能、低损耗的半导体功率器件，有效提升功率转换和控制系统的性能，是提高电能利用率、节约能源、缓解能源危机和环境污染问题的有效途径之一。本课题旨在研究一种可双向阻断的新型场板功率器件——增强型GaN基栅-漏复合场板功率器件，开展器件机理和实现方法的探索。围绕需解决的三大关键科学问题，开展GaN基功率器件中缺陷行为及其影响的物理机制研究；剖析极化中和技术实现增强型器件的物理本质及高场下肖特基-网状欧姆漏极的物理机制；构建有效且符合实际的器件理论模型，探索增强型GaN基栅-漏复合场板功率器件的场板调制机理及实现方法；最后获得高性能器件样品，并进行器件应用研究。通过本课题研究，将揭示制约当前GaN基高压大功率器件性能提升的关键因素，提供一种可制造性强、双向阻断特性好、应用潜力大的具有自主知识产权的高性能增强型GaN基栅-漏复合场板功率器件，并为我国新型功率器件的探索提供理论和技术支撑。