HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征

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作   者：

朱佳;  岳明月;  李天保;  刘培植;  郭俊杰;  许并社; 

作者机构：

太原理工大学材料科学与工程学院;  太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 

关键词：

InCl₃;  InN纳米棒;  HCVD;  载气流量;  NH₃流量; 

期刊名称：

功能材料

基金项目：

石墨烯/氮化镓基异质外延的界面特性及其光电性能研究

i s s n：

1001-9731

年卷期：

2021 年 008 期

页   码：

8094-8099

摘   要：

实验通过自制的卤化物化学气相沉积（HCVD）装置在Si（111）衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl3源区温度、NH3流量和N2载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线能谱仪（EDS）对样品结构,形貌和元素组成进行了表征。结果表明,InCl3源区温度的升高,有利于提高生长区InN纳米棒的形核率和生长速率;NH3流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH3流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH3流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N2载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率。研究实现了InN纳米棒的可控生长,为开发高性能InN纳米棒器件奠定了基础。