为解决常规衬底如硅、蓝宝石制作的LED结构在应用于大电流密度时光效下降和衬底剥离难的缺点,本研究以二维石墨烯作为衬底,利用其表层范德华力作用,设计生长一种石墨烯/氮化镓基异质外延结构,以探索van der Waals epitaxy结构生长模式和外延结构转移,从而实现柔性LED显示器件。以石墨烯/氮化镓形成的界面特性为研究出发点,依据对石墨烯表面、及其与GaN基外延层的界面结构、外延层表面的光电子谱学和显微学的表征手段,分析影响高质量外延薄膜形成的主要因素,理解二维石墨烯衬底层/氮化镓基异质外延层的界面形成机理,调控并掌握其生长动力学条件,揭示二维石墨烯衬底层/氮化镓基异质外延层的界面特性对柔性LED光电性能的影响机制。本项目的实施不仅对推动低成本、柔性LED器件的实现方面具有重要的理论研究价值,同时对构建二维石墨烯/三维半导体异质外延的功能器件具有指导意义。