TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究

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作   者：

邹晓;  徐静平;  张雪峰; 

作者机构：

华中科技大学电子科学与技术系;  江汉大学机电工程系; 

关键词：

氮氧钽界面层;  锗金属氧化物半导体;  界面特性;  Hf基高κ; 

期刊名称：

固体电子学研究与进展

基金项目：

小尺寸超薄HfTiO/GeON叠层高k栅介质Ge基MOSFET研究

i s s n：

1000-3819

年卷期：

2010 年 03 期

页   码：

338-341

摘   要：

制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(～24)和良好的可靠性。这些都归因于TaON界面层阻挡了O及金属原子向Ge衬底的扩散,抑制了不稳定的低κGeOx的生长,从而改善界面质量,增强器件性能。