小尺寸超薄HfTiO/GeON叠层高k栅介质Ge基MOSFET研究

基金项目类型：

国家自然科学基金

基金项目编号：

60776016

来源网站：

国家自然科学基金委员会

来源网址：

http://www.nsfc.gov.cn/

负责人：

徐静平

完成单位：

华中科技大学

中文关键词：

锗MOSFET; 堆栈高k栅介质; 界面层; 金属氧化物; 氮化;

其他语种关键词：

Ge MOSFET; high-k stacked gate dielectrics; interlayer; metal oxide; nitridation

项目类型：

面上项目

语种：

中文

开始日期：

2008-01-01

结束日期：

2010-12-31

中文摘要：

研究低漏电高性能小尺寸Ge基MOSFET的核心技术- - 新型超薄HfTiO/GeON叠层高k栅介质的制备方法和技术。从抑制低k界面GeOx生长的关键问题入手，重点研究超薄氮化GeON界面层的制备技术以及淀积后快速热退火技术，并对界面层中氮氧含量进行最佳化研究，以获得高稳定低界面态密度的介质/Ge界面。同时利用较厚的HfTiO层有效抑制栅极漏电。将研究表面氮化和反应磁控共溅射法制备上述栅介质的最佳工艺和条件以及介质的最佳物理和化学结构,研制出相应的Ge基 MOSFET原型样品。由于氮化界面层和高k值HfTiO的叠层使用，Ge基 MOSFET不仅具有低的栅极漏电，而且可以获得电特性和可靠性的全面改进（界面态、固定电荷及电荷陷阱密度将明显减少，沟道载流子迁移率、电流驱动能力及阈值电压稳定性将大大提高）。对我国微电子工业赶超国际先进水平及超深亚微米Si/Ge集成电路的研发将产生重要影响,应用前景广阔