一种MRI磁信号增强器件
- 专利权人:
- 深圳光启创新技术有限公司
- 发明人:
- 刘若鹏,栾琳,郭洁,洪运南
- 申请号：
- CN201210128222.2
- 公开号：
- CN102709705A
- 申请日:
- 2012.04.27
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种MRI磁信号增强器件，MRI磁信号增强器件设置在待测部位与MRI成像设备的磁信号接收线圈之间，MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料，该负磁导率超材料为经过特殊设计的低频负磁导率超材料，当MRI磁信号增强器件中的负磁导率超材料在磁导率为负时，且谐振频率与MRI工作频率相同的情况下，负磁导率超材料与MRI设备的接收线圈产生响应，增强接收线圈的磁信号，进而增强MRI系统的成像质量，同时，MRI系统的成像质量增强，能够使MRI设备的接收线圈不必紧靠待测部位，增加MRI设备使用的舒适性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
