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一种基于时间干涉的深部经颅磁线圈刺激装置
专利权人:
天津大学
发明人:
魏熙乐,黄默媛,卢梅丽,伊国胜,王江,邓斌,于海涛,张镇,李会燕
申请号:
CN202010038587.0
公开号:
CN111135465A
申请日:
2020.14.01
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
本发明涉及一种基于时间干涉的深部经颅磁线圈刺激装置,包括两个线圈单元和两个高频发生器,其特征在于,两个线圈单元设为第Ⅰ线圈单元和第Ⅱ线圈单元,第Ⅰ线圈单元上施加的刺激电流为电流Q1,第Ⅱ线圈单元上施加的刺激电流为Q2,空间上,第Ⅰ线圈单元与第Ⅱ线圈单元分别位于大脑的两侧,且第Ⅰ线圈单元与第Ⅱ线圈单元之间的夹角为θ,第Ⅰ线圈单元与第Ⅱ线圈单元上施加的刺激电流方向在初始时刻是相同的,且第Ⅰ线圈单元与第Ⅱ线圈单元上施加的刺激电流均为正弦波电流第Ⅰ线圈单元与第Ⅱ线圈单元上刺激电流的幅值相同,但频率不同,均为不低于1000Hz的高频,差值为大脑的节律。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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