磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット
- 专利权人:
- ＪＸ金属株式会社
- 发明人:
- 森下 雄斗
- 申请号：
- JP20160535848
- 公开号：
- JPWO2016013334(A1)
- 申请日:
- 2015.06.18
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、Ｃｏ又はＦｅを含む合金と少なくともＴｉ、Ｂを含む酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの組織において、酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が、０．００１５個／μｍ２以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタリング時のパーティクル発生の原因となる非磁性材料に起因する異常放電を抑制することができる。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
