一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法
- 专利权人:
- 浙江大学
- 发明人:
- 吴惠桢,朱家旗,朱贺,徐翰纶
- 申请号：
- CN201711032642.X
- 公开号：
- CN107706263A
- 申请日:
- 2017.10.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 唐银益`李亦慈
- 摘要：
- 本发明公开了一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法。探测器由N个以下单元组成，其中一个单元是：在高纯锗基底上，从一端至另一端依次分布着掺杂至简并的电极层、杂质带阻挡层、高掺杂吸收层、掺杂至简并的电极层、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，其中电极层上面是金属电极层，阻挡层和吸收层上面是钝化层。本发明主要采用离子注入制备红外吸收层与电极层的技术手段成功制备了Ge基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器。虽然该器件在性能上有很大的提升空间，但制作工艺简单，成本低廉且重复性好，在航天、天文探测等领域具有重要的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
