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基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院微电子研究所
- 发明人:
- 何伟,明安杰,薛惠琼,焦斌斌,欧毅,陈大鹏
- 申请号：
- CN200810240275.7
- 公开号：
- CN101441112B
- 申请日:
- 2008.12.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 王建国
- 摘要：
- 本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A、硅片氧化还原，在纵向形成所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单元；步骤B、在每一红外探测单元中的顶硅层设置数个串联的单晶硅PN结；步骤C、在每一红外探测单元中形成所述电气连接布线，在所述单晶硅PN结与所述电气连接线上形成钝化层；步骤D、在每一红外探测单元中制作悬空的绝热悬臂梁，刻蚀所述底硅层，形成所述空腔。本发明利用单晶硅PN结的良好的温度特性，通过测量单晶硅PN结两端的电压的变化，以获得红外辐射强弱的探测结果。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
