A high-frequency voltage, comprising a supply high-frequency voltage for increasing the vibration amplitude without exceeding a stability limit so as to prevent a beam circulating in a synchrotron from being emitted out of the synchrotron and an emission high-frequency voltage for causing the stability limit to be exceeded, is applied as a high-frequency voltage applied to an emission high-frequency electrode provided to a synchrotron. The strengths of the supply high-frequency voltage and the emission high-frequency voltage are controlled in appropriate combination in accordance with a target value for an ion beam current emitted out of the synchrotron and the change in the target value with time.Dans la présente invention, une tension à haute fréquence, comprenant une tension à haute fréquence d'alimentation pour augmenter l'amplitude des vibrations sans dépasser une limite de stabilité afin d'empêcher un faisceau circulant dans un synchrotron d'être émis hors du synchrotron et une tension à haute fréquence d'émission pour provoquer le dépassement de la limite de stabilité, est appliquée en tant que tension à haute fréquence appliquée sur une électrode à haute fréquence d'émission qui est fournie à un synchrotron. Les intensités de la tension à haute fréquence d'alimentation et de la tension à haute fréquence d'émission sont commandées en combinaison appropriée selon une valeur cible pour un courant de faisceau ionique émis par le synchrotron et le changement de la valeur cible au fil du temps.シンクロトロンに設けられた出射用高周波電極に印加する高周波電圧として、シンクロトロン内を周回するビームをシンクロトロン外に出射されないように、安定限界を超えない範囲で振動振幅を増大させるための供給用高周波電圧と、安定限界を越えさせるための出射用高周波電圧で構成される高周波電圧を印加する。また、この供給用高周波電圧と、出射用高周波電圧の強度を、シンクロトロン外に出射されるイオンビーム電流の目標値およびその時間変化に応じて適宜組み合わせて制御する。
