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高光稳定性痂囊腔菌素二氧化硅纳米粒的制备方法及其在制备静脉注射剂中的应用
- 专利权人:
- 南京师范大学
- 发明人:
- 周家宏,周林,魏少华,冯玉英,董超,沈健
- 申请号：
- CN200810243230.5
- 公开号：
- CN101502654B
- 申请日:
- 2008.12.26
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 高光稳定性及水溶性良好的痂囊腔菌素二氧化硅纳米粒的制备方法及其在制备静脉注射剂中的应用，制备步骤：(1)单一种类硅烷类化合物或多种硅烷类化合物在碱性条件下水解产生具有核壳结构的纳米二氧化硅；(2)在表面活性剂存在或不存在情况下对痂囊腔菌素进行包封，制备出适合静脉注射的粒径小于200nm的具有较高光稳定性及良好水溶性的痂囊腔菌素二氧化硅纳米粒；反应物痂囊腔菌素与硅烷之间的摩尔比例关系为1∶1到1∶10000。本发明的光稳定性均得到提高，有效降低在研发、生产、运输及使用等环节造成的光降解损失、保存难度及保存成本。制备方法简单、易操作。1O2等活性氧的能力也得到增强；暗毒性低，光毒性高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
