一种硅片体内重金属的焙烤方法及检测方法
- 专利权人:
- 上海申和热磁电子有限公司
- 发明人:
- 包胜娟,贺贤汉,杨建成,洪漪
- 申请号：
- CN201210588075.7
- 公开号：
- CN103063692A
- 申请日:
- 2012.12.31
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 赵青
- 摘要：
- 本发明提供了一种硅片体内重金属的焙烤方法及检测方法。将硅片置于180-300℃烘焙20-60min；烘焙后，将硅片冷却至20-25℃；采用全反射X射线荧光光谱检测硅片体内重金属。本发明的方法，将扩散到硅片内部的重金属再扩散至硅片表面，能够采用全反射X射线荧光光谱有效测量并分析硅片污染的状况。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
