碳化硅多孔陶瓷的制备方法
- 专利权人:
- 中原工学院
- 发明人:
- 张小立
- 申请号：
- CN201410005555.5
- 公开号：
- CN103833405B
- 申请日:
- 2014.01.07
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 张绍琳`张真真
- 摘要：
- 本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，包括以下步骤：首先将多孔硅胶放入管式炉中，以50~300ml/min的速率通入纯度80-98%的甲烷，以5-30℃/min的升温速率逐步升温至1000~1500℃，并保持0.5-2hr，炉口出口点火，裂解的甲烷气体在管式炉中连续通过硅胶，发生原位反应，将硅胶转化为碳化硅多孔陶瓷，并遗传其孔隙结构。该方法工艺简单，可连续生产，并适用于工业规模。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
