碳化硅多孔陶瓷及其制备工艺
- 专利权人:
- 安徽中鼎美达环保科技有限公司
- 发明人:
- 陈桂香,林超超
- 申请号：
- CN201510137291.3
- 公开号：
- CN104761274B
- 申请日:
- 2015.03.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 汤茂盛
- 摘要：
- 本发明首先公开了一种碳化硅多孔陶瓷，其包括以下重量份数的固体原料：碳化硅40～50wt％、碳酸钡1～4wt％、氮化钛1～2wt％、氧化钕0.2～0.5wt％、氧化镝0.2～0.5wt％、氧化镧0.2～0.5wt％；本发明其次公开了上述碳化硅多孔陶瓷的制备工艺，采用上述原料制备碳化硅多孔陶瓷的碳化硅晶体与其表面的覆盖相和粘结相能够致密、均匀地分布，且碳化硅晶体、碳化硅晶体表面的覆盖层、以及碳化硅晶体和表面覆盖层之间在温度剧烈变化时不会产生产生裂纹、孔洞，碳化硅多孔陶瓷的抗氧化性能好、膨胀系数低，碳化硅晶体表面覆盖层和粘结相的导热性能好。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
