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X線撮像装置内で直接変換されるX線の作用を最小化する方法
专利权人:
オン セミコンダクタ トレーディング リミテッド
发明人:
シェーファー,ダニー,レイモンド,ワルシャプ,トム,エイ
申请号:
JP2008503006
公开号:
JP4949378B2
申请日:
2006.03.01
申请国别(地区):
JP
年份:
2012
代理人:
摘要:
In one embodiment, image sensor X-ray imaging apparatus (200) for the (290), including a read circuit (223) photodiodes. The (232) is configured as a diode, drained parasitic electrons, otherwise noise is induced in the image deep well is formed below the reading circuit. Or power, for example, parasitic electrons flowing to the measuring circuit for the purpose of dosimetry. [Selection Figure Figure 2一実施形態において、X線撮像装置(200)用の画像センサ(290)は、ホトダイオード(223)及び読み出し回路を含む。読み出し回路の下方に形成されている深井戸(232)は、ダイオードとして構成され、寄生電子を流出させ、さもなければ画像内にノイズが誘導される。寄生電子は、電源又は、例えば線量測定を目的とした測定回路に対して流出する。【選択図】 図2
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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