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GÉNÉRATION DE TENSION DISPONIBLE IMPULSION PAR IMPULSION POUR STIMULATEUR IMPLANTABLE
专利权人:
BOSTON SCIENTIFIC NEUROMODULATION CORPORATION
发明人:
MARNFELDT, Goran,SHI, Jess
申请号:
USUS2013/036369
公开号:
WO2013/173010A4
申请日:
2013.04.12
申请国别(地区):
US
年份:
2014
代理人:
摘要:
Circuitry for generating a compliance voltage (V+) for the current sources and/or sinks in an implantable stimulator device in disclosed. The circuitry assesses whether V+ is optimal for a given pulse, and if not, adjusts V+ for the next pulse. The circuitry uses amplifiers to measure the voltage drop across active PDACs (current sources) and NDAC (current sinks) at an appropriate time during the pulse. The measured voltages are assessed to determine whether they are high or low relative to optimal values. If low, a V+ regulator is controlled to increase V+ for the next pulse; if not, the V+ regulator is controlled to decrease V+ for the next pulse. Through this approach, gradual changes that may be occurring in the implant environment can be accounted for, with V+ adjusted on a pulse-by-pulse basis to keep the voltage drops at or near optimal levels for efficient DAC operation.L'invention concerne un circuit permettant de produire une tension disponible (V+) destinée aux sources de courant et/ou aux récepteurs de courant d'un dispositif de stimulateur implantable. Le circuit évalue si V+ est optimale pour une impulsion donnée, et, si tel n'est pas le cas, règle V+ pour l'impulsion suivante. Le circuit utilise des amplificateurs pour mesurer la chute de tension aux bornes de PDAC actifs (sources de courant) et de NDAC actifs (récepteurs de courant) à un moment approprié pendant l'impulsion. Les tensions mesurées sont évaluées afin de déterminer si elles sont élevées ou basses par rapport à des valeurs optimales. Si elles sont basses, un régulateur de V+ est commandé afin d'augmenter V+ pour l'impulsion suivante; sinon, le régulateur de V+ est commandé afin de diminuer V+ pour l'impulsion suivante. Cette approche permet de tenir compte de changements progressifs susceptibles de se produire dans l'environnement de l'implant, V+ étant réglée impulsion par impulsion pour maintenir les chutes de tension à des niveaux optimaux ou quasi optimaux en vue d'assurer un fonctio
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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