您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

STRUCTURE DES À FAIBLE NIVEAU DE FUITE POUR DES CAPTEURS DE SIGNAUX BIOLOGIQUES SANS CONTACT
专利权人:
NEUROSKY;NEUROSKY, INC.; INC.;SULLIVAN, Thomas, J.
发明人:
SULLIVAN, Thomas, J.
申请号:
USUS2012/030768
公开号:
WO2012/135233A1
申请日:
2012.03.27
申请国别(地区):
US
年份:
2012
代理人:
摘要:
Various techniques for providing a low leakage electrostatic discharge (ESD) structure for non-contact bio-signal sensors are disclosed. In some embodiments, a low leakage ESD structure for a capacitive bio-sensor includes a unity gain buffer, and an ESD protection circuit connected to the unity gain buffer, in which the ESD protection circuit includes a diode connected across an input and an output of the unity gain buffer, and in which a voltage range for the ESD protection circuit is configurable.La présente invention se rapporte à une pluralité de techniques permettant d'obtenir une structure DES (décharge électrostatique) à faible niveau de fuite pour des capteurs de signaux biologiques sans contact. Dans certains modes de réalisation de l'invention, une structure DES à faible niveau de fuite pour un capteur de signaux biologiques capacitif comprend un tampon de gain unitaire, ainsi qu'un circuit de protection contre des DES qui est connecté au tampon de gain unitaire, caractérisé en ce que le circuit de protection contre des DES comprend une diode connectée sur une entrée et une sortie du tampon de gain unitaire, et dans lequel une plage de tension est configurable pour le circuit de protection contre les DES.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充