一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法
- 专利权人:
- 上海大学
- 发明人:
- 王林军,唐可,黄健,赖建明,管玉兰,夏义本
- 申请号：
- CN200810040639.7
- 公开号：
- CN101323971A
- 申请日:
- 2008.07.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2008
- 代理人:
- 顾勇华
- 摘要：
- 本发明涉及一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在氢气和丙酮的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长，然后用HNO3与HF的混合溶液浸泡腐蚀掉硅衬底形成自支撑金刚石薄膜；再在自支撑金刚石膜上用直流磁控溅射法制备ZnO薄膜，先在Ar、O2气氛中溅射沉积ZnO缓冲层，然后进行ZnO主层的沉积。本发明制作工艺简化，成本低，有利于促进高质量ZnO薄膜器件的大规模应用。ZnO薄膜晶粒尺寸小，薄膜的晶体质量高，表面粗糙度低。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
