一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法
- 专利权人:
- 上海大学
- 发明人:
- 徐闰,冯健,黄健,唐可,赖建明,管玉兰
- 申请号：
- CN200810040638.2
- 公开号：
- CN101323982B
- 申请日:
- 2008.07.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 顾勇华
- 摘要：
- 本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF和HNO3的混合溶液中对硅片衬底进行腐蚀后即可获得自支撑金刚石薄膜；将薄膜置于射频磁控溅射仪的样品架上，用氮化硼作靶材，在N2和Ar中，调节射频功率至200～250W，偏压为150～250V，衬底温度为150～500℃，溅射后制得高质量立方氮化硼薄膜。本发明的氮化硼薄膜中立方相含量达到90％。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
