Wafer containing fixed to each other , the silicon region , and relates to a device comprising a wafer that includes a glass region , the setting zone is a layer covering the silicon part , the present invention , the physical be caused by corrosion of the surface the first layer that protects the silicon from the changes , and , comprising a layer that covers the glass portion , a second layer to protect the glass from the physical changes caused by corrosion of the surface , the image a multi-layer structure is formed on the wafer between the formed the multilayer structure , Note Furthermore , to enable anodic bonding protection between the two layers , the method comprising at least one additional layer the device is protected by the protective layer was , it is possible to contain fluid at least one channel , and a temporary solution .本発明は、互いに固定された、ケイ素領域を含むウエーハ、及び、ガラス領域を含むウエーハを含んでなるデバイスに関わり、固定ゾーンは、ケイ素部分を被覆する層である、表面の腐食によって引き起こされる物理的変化からケイ素を保護する第1の層、及び、ガラス部分を被覆する層である、表面の腐食によって引き起こされる物理的変化からガラスを保護する第2の層を含んでなる、多層構造を画成するウエーハ間に形成される;該多層構造は、なおその上、2つの保護層間に陽極接合を可能にする、少なくとも1つの追加の層を含んでなり;該デバイスは上記保護層によって保護された、少なくとも1つの流体チャンネルを含み、一時的に溶液を含むことができる。
