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合金接合材による接合層構造及びその形成方法、並びに該接合層構造を有する半導体装置及びその製造方法
- 专利权人:
- 国立大学法人茨城大学
- 发明人:
- 大貫 仁,玉橋 邦裕,千葉 秋雄,菅原 良孝,本橋 嘉信,佐久間 隆昭
- 申请号：
- JP20160552162
- 公开号：
- JPWO2016052700(A1)
- 申请日:
- 2015.10.01
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明の接合層構造は、被接合材ＡとＢとを合金接合材によって接合し形成される接合層の構造であって、前記合金接合材がＺｎ−Ａｌ共析系合金であり、且つ、前記被接合材Ａ及びＢと前記合金接合材とのそれぞれの接合面において、どちらか小さな面積を有する方の被接合材の接合面内、又はどちらとも同じ面積を有する被接合材の接合面内に存在する接合層に含まれるＡｌリッチ相（α相）のデンドライドアームスペーシング（ＤＡＳ）が０．０６μｍを超え、０．３μｍ未満とすることで、濡れ性を十分に確保しつつ、且つ、高温の接合強度が高く、応力緩和効果によって接続信頼性の向上を図ることができる合金接合材による接合層構造及びその形成方法、並びに該接合層構造を有する半導体装置及びその製造方法。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
