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一种基于MEMS技术的脑深部刺激电极
- 专利权人:
- 杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学
- 发明人:
- 程瑜华,王高峰,兰舒,李文钧
- 申请号：
- CN202111197345.7
- 公开号：
- CN113797441A
- 申请日:
- 2021.10.14
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于MEMS技术的脑深部刺激电极，其包括绝缘体内芯，以及包裹在绝缘体内芯上的柔性电极薄膜。柔性电极薄膜卷曲包裹在绝缘体内芯的侧面上，且两侧边缘对接在一起。柔性电极薄膜的内表面与绝缘体内芯粘接在一起。柔性电极薄膜包括绝缘外层，以及设置在绝缘外层上的金属触点和金属导线。金属导线设置在绝缘外层内表面。本发明通过MEMS技术制备出平面的柔性电极薄膜后，将其卷曲固定到绝缘体内芯上，从而通过平面制造技术加工出了，具有三维空间结构的脑部刺激到电极，大大降低了电极制造成本。此外，使用MEMS技术制备柔性电极薄膜，使得金属触点和金属导线之间实现一体化，二者的连接相较于传统工艺更加稳固。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
