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脑刺激用多位点刺激电极阵列
专利权人:
上海交通大学
发明人:
吴开杰,任秋实,王洪良,陆一樑,孙伯民
申请号:
CN200910309782.6
公开号:
CN101708353B
申请日:
2008.08.14
申请国别(地区):
CN
年份:
2012
代理人:
摘要:
本发明公开一种生物医学工程技术领域的脑刺激用多位点刺激电极阵列,电极阵列包括刺激电极片、电极导线、电极接口、刺激结点,多个刺激电极片设在整个刺激电极在同一深度,每个刺激电极片通过各自单独的电极导线连接至电极接口,刺激电极片围合成柱状的刺激结点,两组或两组以上的刺激结点由具有生物相容性的硅胶塑封、连接共同组成电极阵列。电极接口的公接口连接至刺激电极片一端,母接口连接至刺激器一端。灌塑模具两端开口,一端作为导线进入端,另一端进行灌塑具有生物相容性的硅胶,中间有内芯。本发明解决了电极尺寸限制和刺激通道多路化之间的矛盾,保证刺激方式的立体化和刺激区域的最优化。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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