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一种冷等离子体处理的大豆育种方法
专利权人:
山东省种子有限责任公司
发明人:
邵长勇,梁凤臣,李艳,张丽丽,赵立静,张晓明,杨鹏,张烨,梁超,邵龙,鞠建,邵娜
申请号:
CN201510098014.6
公开号:
CN104620719A
申请日:
2015.03.05
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
崔苗苗
摘要:
本发明涉及一种冷等离子体处理的大豆育种方法,包括步骤如下:对大豆种子进行冷等离子体处理,结合表观接触角观测,适时播种,选育具有目标性状的大豆新品种。所述冷等离子体处理的条件为:以氦气为工作介质,在真空封闭环境中,1~500W的处理功率下对大豆原材料进行15~20秒的非电离幅射处理;所述的表观接触角是指冷等离子体处理后大豆种子的气、液、固三相交界处的气-液界面和固-液界面之间的夹角,表观接触角度为43~96°。本发明对大豆种子进行冷等离子体处理,明显提高了大豆种子的发芽能力,改善了大豆的幼苗生长性状、生物性状、产量性状,填补了农业科学领域中非电离幅射技术在大豆育种上应用的空白。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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