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一种冷等离子体处理的大豆育种方法
- 专利权人:
- 山东省种子有限责任公司
- 发明人:
- 邵长勇,梁凤臣,李艳,张丽丽,赵立静,张晓明,杨鹏,张烨,梁超,邵龙,鞠建,邵娜
- 申请号：
- CN201510098014.6
- 公开号：
- CN104620719B
- 申请日:
- 2015.03.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 崔苗苗
- 摘要：
- 本发明涉及一种冷等离子体处理的大豆育种方法，包括步骤如下：对大豆种子进行冷等离子体处理，结合表观接触角观测，适时播种，选育具有目标性状的大豆新品种。所述冷等离子体处理的条件为：以氦气为工作介质，在真空封闭环境中，1～500W的处理功率下对大豆原材料进行15～20秒的非电离辐射处理；所述的表观接触角是指冷等离子体处理后大豆种子的气、液、固三相交界处的气‑液界面和固‑液界面之间的夹角，表观接触角度为43～96°。本发明对大豆种子进行冷等离子体处理，明显提高了大豆种子的发芽能力，改善了大豆的幼苗生长性状、生物性状、产量性状，填补了农业科学领域中非电离辐射技术在大豆育种上应用的空白。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
