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パターン処理法
- 专利权人:
- ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー;ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ
- 发明人:
- ホワシン・ジョウ,ミンキ・リー,ヴィプル・ジェイン,ジョン・クン・パク,フィリップ・ディー・フスタッド,ジン・ウク・ソン
- 申请号：
- JP20160111345
- 公开号：
- JP2017010016(A)
- 申请日:
- 2016.06.02
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】半導体デバイスの製造において、高解像度のパターンを提供する。【解決手段】（ａ）表面上にパターン形成特徴部を備える半導体基板を提供すること、（ｂ）ブロックコポリマー及び溶媒を含むパターン処理組成物をパターン形成特徴部に塗布すること、（ｃ）残留パターン処理組成物を基板からすすいで、パターン形成特徴部に結合したブロックコポリマーの一部を残すことを含むパターン処理法。パターン処理組成物のブロックコポリマーは、第１のブロック及び第２のブロックを含む。第１のブロックはエチレン性不飽和重合性基及び水素受容体基を含む第１のモノマーから形成された単位を含み、水素受容体基が窒素含有基である。第２のブロックはエチレン性不飽和重合性基及び環式脂肪族基を含む第２のモノマーから形成された単位を
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
