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パターン処理法
- 专利权人:
- ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ;ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー
- 发明人:
- ジン・ウク・サン,ミンキ・リー,ジョン・グン・パク,ジョシュア・エイ・カイツ,ヴィプル・ジェイン,チュンイー・ウー,フィリップ・ディー・フスタッド
- 申请号：
- JP20170142496
- 公开号：
- JP2018018076(A)
- 申请日:
- 2017.07.24
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】半導体デバイス製造に於いて、溶剤現像ネガ型化学増幅レジストを使用した高解像度パターン処理法を提供する。【解決手段】（ａ）表面上にパターン形成特徴部を備える半導体基板を準備し、（ｂ）（ａ）上に、（ｉ）４−ビニル−ピリジンから形成される第１の単位を含む第１のブロックと、（ｉｉ）ビニル芳香族モノマーから形成される第１の単位を含む第２のブロック、とを含むブロックコポリマー、及び有機溶媒を含む、パターン処理組成物を塗布し、（ｃ）パターン処理組成物を基板から除去する、パターン処理法。パターン処理組成物を塗布する前のパターン形成特徴部のパターン間隔と比較して、パターン間隔を低減できる。【選択図】なし
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
