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半導体装置、半導体装置の製造方法、電力変換装置、３相モータシステム、自動車、および鉄道車両
- 专利权人:
- 株式会社日立製作所
- 发明人:
- 手賀 直樹,吉元 広行,久本 大
- 申请号：
- JP20160520883
- 公开号：
- JPWO2015177914(A1)
- 申请日:
- 2014.05.23
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明の目的は、トレンチ構造を用い、かつ、トレンチ下部のゲート絶縁膜にかかる電界を抑えることで、高性能かつ高信頼性の縦型ＭＯＳＦＥＴ構造を提供することにある。本発明では、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の裏面側に形成されているドレイン電極と、半導体基板上に形成されている第１導電型のドリフト層と、第１導電型のソース領域と、ドリフト層と電気的に接続している第１導電型の電流拡散層と、ソース領域と電流拡散層とに接している第２導電型のボディ層と、ソース領域とボディ層と電流拡散層とに延在し、ボディ層よりも浅く、底面がボディ層に接しているトレンチと、トレンチの内壁に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、を有する半導体装置とすることで、高性能かつ高信
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
