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通过预先占位调控邻位碳硼烷衍生物结构的方法
专利权人:
哈尔滨工业大学无锡新材料研究院;无锡海特新材料研究院有限公司
发明人:
白永平,李宁,曲德智,李卫东,席丹,殷晓芬
申请号:
CN201610381166.1
公开号:
CN106083905A
申请日:
2016.06.01
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
刘洪京
摘要:
本发明公开了一种通过预先占位反应调控碳硼烷衍生物结构的方法,(1)邻碳硼烷经锂化形成单锂盐后与CH基团保护剂作用,定量转化为C‑H保护碳硼烷;(2)丁基锂活化C‑H进而进行第二碳位的官能化;(3)通过四丁基氟化铵脱保护。经三步法通过先引入以CH基团保护剂,再对基团进行官能化,最后进行基团的脱保护,通过预先占位调控邻位碳硼烷衍生物的结构,进而可有目的地,有选择性地合成单取代或双取代的邻位碳硼烷衍生物。得到的单取代或双取代碳硼烷衍生物也可引入耐高温粘结材料、复合材料等航空航天材料领域,也可以让其在生物医药、催化剂、超分子体系及高能燃料等领域均有较大的应用前景。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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