A scintillation detector, including a scintillator that emits scintillation a semiconductor photodetector having a surface area for receiving the scintillation, wherein the surface area has a passivation layer configured to provide a peak quantum efficiency greater than 40% for a first component of the scintillation, and the semiconductor photodetector has built in gain through avalanche multiplication a coating on the surface area, wherein the coating acts as a bandpass filter that transmits light within a range of wavelengths corresponding to the first component of the scintillation and suppresses transmission of light with wavelengths outside said range of wavelengths and wherein the surface area, the passivation layer, and the coating are controlled to increase the temporal resolution of the semiconductor photodetector.Linvention concerne un détecteur de scintillation comprenant un scintillateur qui émet une scintillation un photodétecteur à semi-conducteurs ayant une région de surface destinée à recevoir la scintillation, la région de surface ayant une couche de passivation configurée pour fournir une efficacité quantique maximale supérieure à 40 % pour une première composante de la scintillation, et le photodétecteur à semi-conducteurs ayant, incorporé à celui-ci, un gain par multiplication à avalanche un revêtement sur la région de surface, le revêtement servant de filtre passe-bande qui transmet la lumière à lintérieur dune plage de longueurs donde correspondant à la première composante de la scintillation et qui supprime la transmission de lumière ayant des longueurs donde hors de ladite plage de longueurs donde et la région de surface, la couche de passivation et le revêtement étant régulés pour augmenter la résolution temporelle du photodétecteur à semi-conducteurs.
