一种利用电磁场调控大花蕙兰花期的方法
- 专利权人:
- 华南理工大学
- 发明人:
- 韩忠,曾新安,于淑娟
- 申请号：
- CN201110116661.7
- 公开号：
- CN102217500B
- 申请日:
- 2011.05.06
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种利用电磁场调控大花蕙兰花期的方法，该方法选用株高为70～100cm、营养生长一致的大花蕙兰成熟植株；将选好的大花蕙兰植株放置在电磁场处理器的处理室中进行电磁场处理，每天的白天连续或者间隔0.5-1.3小时电磁场处理3～9小时，连续处理30～90天，实现大花蕙兰开花期提前；电磁场处理处理时，控制电场电压为0.8～110kV，电磁频率为3k～100kHz，波形为连续波或者脉冲波。本发明通过物理方法--电磁场，影响大花蕙兰细胞膜的通透性，加快其新陈代谢和光合作用，进而调控其花期，操作简单，实用性强、易于推广。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
