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SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE CONTAINING COMPOSITION, AND COSMETIC
专利权人:
스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤
发明人:
이타가키, 테츠로,쿠사하라, 요시키,후지하시, 가쿠,수마, 슌스케
申请号:
KR1020157028615
公开号:
KR1020150144748A
申请日:
2014.03.31
申请国别(地区):
KR
年份:
2015
代理人:
摘要:
Coated zinc oxide capable of inhibiting the elution of zinc ions from zinc oxide particles, a process for producing the same, a composition containing zinc oxide-coated zinc oxide, and a cosmetic material. The zinc oxide-coated zinc oxide is such a zinc oxide-coated zinc oxide that the surface of the zinc oxide particle is covered with a silicon oxide coating, wherein the zinc oxide particles have an average particle diameter of 1 nm or more and 50 nm or less, when the existing ratio in the abundance ratio of the Q 3 environment of silicon in Q 3, Q 4 environment to Q 4, one of Q 3 + Q 4 ≥0.6 also Q 4 / (Q 3 + Q 4) ≥0.5, or oxidation Characterized in that the decomposition rate of brilliant blue which is further generated by photocatalytic activity of the zinc particles is 3% or less.산화 아연 입자로부터의 아연 이온의 용출을 억제하는 것이 가능한 산화 규소 피복 산화 아연과 그 제조방법 및 산화 규소 피복 산화 아연 함유 조성물 및 화장료가 제공된다. 이와 같은 산화 규소 피복 산화 아연은, 산화 아연 입자의 표면을 산화 규소 피막에 의하여 피복하여 이루어지는 산화 규소 피복 산화 아연으로서, 상기 산화 아연 입자의 평균 입자경은 1nm 이상 또한 50nm 이하이며, 상기 산화 규소 피막 중의 규소의 Q3환경에 있어서의 존재비를 Q3, Q4환경에 있어서의 존재비를 Q4로 했을 때, Q3+Q4≥0.6 또한 Q4/(Q3+Q4)≥0.5인 것, 또는 산화 아연 입자의 광 촉매활성에 의하여 추가로 발생하는 브릴리언트 블루의 분해율이 3% 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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