您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

산화 규소 피복 산화 아연과 그 제조 방법 및 산화 규소 피복 산화 아연 함유 조성물과 화장료
专利权人:
스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤
发明人:
이타가키, 테츠로,후지하시, 가쿠,수마, 슌스케
申请号:
KR1020167026015
公开号:
KR1020160131029A
申请日:
2015.03.30
申请国别(地区):
KR
年份:
2016
代理人:
摘要:
As to provide a silicon oxide-coated zinc oxide and a manufacturing method and a silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition and the cosmetic composition, the art of silicon oxide-coated zinc oxide, silicon oxide-coated oxidizing the surface of zinc oxide particles formed by coating by the silicon oxide film and zinc, and the average particle diameter of the zinc oxide particles is less than 50nm greater than 500nm, when the abundance ratio in the abundance ratio of the Q 3 environment of the silicon in the silicon oxide film on the Q 3, Q 4 environment to Q 4, Q 3 + and Q 4 = 0.6, the Q 4 / (Q 3 + Q 4) = 0.5.산화 규소 피복 산화 아연과 그 제조 방법 및 산화 규소 피복 산화 아연 함유 조성물과 화장료를 제공하는 것으로서, 당해 산화 규소 피복 산화 아연은, 산화 아연 입자의 표면을 산화 규소 피막에 의하여 피복하여 이루어지는 산화 규소 피복 산화 아연이며, 산화 아연 입자의 평균 입자경은 50nm 초과 500nm 이하이고, 산화 규소 피막 중의 규소의 Q3환경에 있어서의 존재비를 Q3, Q4환경에 있어서의 존재비를 Q4로 했을 때, Q3+Q4=0.6이고, Q4/(Q3+Q4)=0.5이다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充