一种负氧离子手机芯片的制作方法
- 专利权人:
- 蒋思前
- 发明人:
- 蒋思前
- 申请号：
- CN202011235718.0
- 公开号：
- CN112221014A
- 申请日:
- 2020.11.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种负氧离子手机芯片的制作方法，该手机芯片依次由上面保护层(2)、第一负氧离子层(3)、第二负氧离子层(4)、银浆谐振电容层(5)、第三负氧离子层(6)、第四负氧离子层(7)、底面保护层(8)构成。本发明的有益效果在于：该手机芯片不用电，长时间释放高浓度负氧离子，可以长时间连续使用，通过内置银浆谐振电容，把杂乱的电磁波变成对人体有益的脉冲波。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
