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酸化物誘電体及びその製造方法、並びに固体電子装置及びその製造方法
专利权人:
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学;アダマンド株式会社
发明人:
下田 達也,井上 聡,有賀 智紀
申请号:
JP20150544236
公开号:
JPWO2016013416(A1)
申请日:
2015.07.10
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
【課題】優れた特性を有する酸化物誘電体、及びその酸化物誘電体を備えた固体電子装置(例えば、キャパシタ、半導体装置、又は微小電気機械システム)を提供する。【解決手段】本発明の1つの酸化物誘電体からなる酸化物層30は、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)の層であって、パイロクロア型結晶構造の第1結晶相と、β−BiNbO4型結晶構造の第2結晶相とを含有している。加えて、該酸化物層30は、25℃以上120℃以下の温度範囲において酸化物層30の温度の上昇に伴って比誘電率が低下する第1結晶相の含有量と、該温度範囲において酸化物30の温度の上昇に伴って比誘電率が上昇する第2結晶相の含有量とが調整されたものである。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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