An imaging device comprising: in-substrate photoelectric converting devices arranged on the same plane in a semiconductor substrate on-substrate photoelectric converting devices, formed on the same plane above the semiconductor substrate, each of which corresponds to each of at least a part of the in-substrate photoelectric converting devices and comprises a first electrode formed above the semiconductor substrate, a photoelectric converting layer formed on the first electrode and a second electrode formed on the photoelectric converting layer a color filter layer that is formed above the semiconductor substrate and transmits a light in a different wave range from a wave range of a light to be absorbed by the photoelectric converting layer and a signal reading section that reads a signal corresponding to an electric charge generated in the on-substrate photoelectric converting device and a signal corresponding to an electric charge generated in the in-substrate photoelectric converting device respectively.촬상 소자는, 반도체 기판의 동일 평면 상에 배열된 기판내 광전 변환 소자들 반도체 기판 상방의 동일 평면 상에 형성되고 각각이 기판내 광전 변환 소자들의 적어도 일부의 각각에 대응하고, 반도체 기판 상방에 형성된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성된 광전 변환 층, 및 광전 변환 층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는, 기판상 광전 변환 소자들 반도체 기판 상방에 형성되고, 광전 변환 층에 의해 흡수되는 광의 파장 범위와 상이한 파장 범위의 광을 투과시키는 컬러 필터 층 및 기판상 광전 변환 소자에서 생성된 전하에 대응하는 신호 및 기판내 광전 변환 소자에서 생성된 전하에 대응하는 신호를 각각 판독하는 신호 판독부를 포함한다.
