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柔性高通量细胞电融合微电极阵列芯片装置
专利权人:
重庆大学
发明人:
杨军,胡宁,郑小林,侯文生,廖彦剑,曹毅,夏斌
申请号:
CN200810070159.5
公开号:
CN101343613B
申请日:
2008.08.22
申请国别(地区):
中国
年份:
2012
代理人:
康海燕
摘要:
本发明提出了一种柔性高通量细胞电融合微电极阵列芯片装置,由阵列芯片和融合池组成。阵列芯片以柔性透明聚酰亚胺薄膜为基底,下表面通过蚀刻形成交叉梳状阵列化微电极组,电极组由两个相互交叉、互不接触、电气结构上互不连接的梳状微电极阵列电极构成,电极组内部微电极之间的微通道为工作通道;阵列芯片倒扣于融合池上,其上的交叉梳状阵列化微电极组与细胞电融合池相对应,落于细胞电融合池中。该芯片装置具备使用方便,加工方法简单,成本极为低廉,对操作人员及细胞无伤害等特点,可广泛应用于遗传学、动植物远缘杂交育种、发育生物学、药物筛选、单克隆抗体制备、哺乳动物克隆等领域。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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