表面修飾基材の製造方法、接合体の製造方法、新規ヒドロシラン化合物および表面修飾基材
- 专利权人:
- 国立大学法人京都大学
- 发明人:
- 中西 和樹,モイトラ ニルマリヤ,金森 主祥,嶋田 豊司
- 申请号：
- JP20150535915
- 公开号：
- JPWO2015136913(A1)
- 申请日:
- 2015.03.09
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明の表面修飾基材の製造方法は、極性基が表面に存在する基材と、分子構造Ａのケイ素原子に水素原子が結合したＳｉ−Ｈ基を有するヒドロシラン化合物と、をボラン触媒の存在下で接触させ、基材と上記化合物との間で脱水素縮合反応を進行させることで、分子構造Ａにより表面が修飾された基材を形成する工程を含む。この製造方法では、従来よりも低温かつ短時間での基材表面の修飾が可能であるとともに、基材の形状、種類および用途、修飾反応の形態、ならびに基材表面に修飾させる分子構造の種類などの自由度が高い。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
