하기의 단계들을 포함하는 패턴 형성 방법: (a) 반도체 기판을 제공하는 단계; (b) 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계로서, 상기 포토레지스트 패턴은 산 불안정성 기를 포함하는 제1 폴리머; 및 광산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물로부터 형성되는, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 포토레지스트 패턴 상에 패턴 오버코트 조성물을 코팅하는 단계로서, 상기 패턴 오버코트 조성물은 제2 폴리머 및 유기 용매를 포함하고, 상기 유기 용매는 1종 이상의 에스테르 용매를 포함하고, 상기 에스테르 용매는 식 R-C(O)O-R(식 중, R은 C3-C6 알킬기이고, R는 C5-C10 알킬기임)의 것인, 상기 패턴 오버코트 조성물을 코팅하는 단계; (d) 상기 코팅된 포토레지스트 패턴을 베이킹하는 단계; 및 (e) 상기 코팅된 포토레지스트 패턴을 헹굼제로 헹구어서
