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硼碳氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法
- 专利权人:
- 黑龙江大学
- 发明人:
- 史克英,吴岩,刘艳伟,夏廷亮,陈垒
- 申请号：
- CN200910311068.0
- 公开号：
- CN101718731B
- 申请日:
- 2009.12.09
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 韩末洙
- 摘要：
- 硼碳氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法，它涉及纳米材料/氧化物复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的检测氮氧化合物气体的敏感材料在室温下灵敏度低的问题。本发明的复合材料由硼碳氮纳米管、过渡金属盐和沉淀剂制成；其中硼碳氮纳米管由催化剂、含硼材料和碳纳米管在氨气气氛中制成；方法：催化剂、含硼材料和碳纳米管研磨后在氨气氛中烧结，再提纯、分散于金属盐溶液中，再经沉淀剂改性、干燥、烧结得到硼碳氮纳米管/半导体氧化物复合材料。本发明的复合材料是作为敏感材料应用于氮氧化合物气体的检测，该材料室温下可检测的氮氧化合物气体的摩尔浓度低至485ppb，灵敏度≥5％。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
