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碳掺杂硼氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法
- 专利权人:
- 黑龙江大学
- 发明人:
- 史克英,付宏刚,张连萍,刘艳伟,秦臻
- 申请号：
- CN200910311069.5
- 公开号：
- CN101718732B
- 申请日:
- 2009.12.09
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 韩末洙
- 摘要：
- 碳掺杂硼氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法，它涉及纳米材料/氧化物复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的检测氮氧化合物气体的敏感材料室温下灵敏度低、响应速度慢的问题。本发明的复合材料由碳掺杂硼氮纳米管、过渡金属盐和沉淀剂制成；方法：催化剂、含硼材料和碳纳米管研磨后在氨气中合成，再提纯、焙烧后得到碳掺杂硼氮纳米管、然后将其分散于金属盐溶液中，再经沉淀剂改性、烧结得到复合材料。本发明是作为敏感材料用于对氮氧化合物气体的检测，可检测到的气体的最低摩尔浓度为970ppb，灵敏度≥2.37％，敏感膜从注入氮氧化合物气体至电阻完全稳定的时间≤20秒，响应速度快吸、吸附可逆性好。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
